ГлавнаяНовостиСильноточные МОП-транзисторы для конструкций с высокой плотностью мощности

Сильноточные МОП-транзисторы для конструкций с высокой плотностью мощности

Новый силовой МОП-транзистор на 200 В со сверхнизким сопротивлением и усовершенствованным корпусом с верхним охлаждением позволяет разработчикам сократить потери, уменьшить компоновку и уменьшить потребность в параллельных устройствах в сильноточных промышленных и энергетических системах.




Новый сильноточный силовой МОП-транзистор от Littelfuse, предназначенный для компактных, энергоемких систем, был представлен для решения проблем с тепловыми режимами и разрастания компонентов в современных энергетических и промышленных проектах.Устройство сочетает в себе номинальное напряжение 200 В с допустимым током до 480 А, что позволяет разработчикам заменить несколько параллельно включенных МОП-транзисторов одним высокопроизводительным переключателем.


Ключевые особенности:

Номинальное напряжение 200 В с длительным током до 480 А.
Сверхнизкое сопротивление во включенном состоянии 1,99 мОм.
Изолированный керамический корпус с верхним охлаждением для упрощения теплового расчета.
Очень низкое тепловое сопротивление переход-корпус, 0,14 °C/Вт.
Уменьшенный заряд затвора (535 нКл) для повышения эффективности переключения.
В основе устройства лежит ультрапереходная архитектура, которая значительно снижает потери проводимости в приложениях с низким и средним напряжением, где эффективность и рассеивание тепла являются критическими ограничениями при проектировании.Уменьшая потери и количество деталей, MOSFET упрощает компоновку, конструкцию привода затвора и общую надежность системы.

Ключевым отличием является изолированный корпус SMPD-X на керамической основе с верхним охлаждением.Пакет обеспечивает изоляцию 2,5 кВ и тепловое сопротивление переход-корпус всего 0,14 °C/Вт, что позволяет отводить тепло более эффективно, чем традиционные силовые блоки с нижним охлаждением.Такой подход упрощает тепловое проектирование, особенно в плотно упакованных силовых каскадах, используемых для хранения энергии, промышленной зарядки и сильноточного переключения постоянного тока.


Высокий номинальный ток MOSFET позволяет объединять параллельные устройства, которые часто необходимы для достижения целевых показателей производительности в аккумуляторных системах хранения энергии, промышленных источниках питания и зарядной инфраструктуре.Меньшее количество параллельных переключателей приводит к уменьшению площади печатной платы, снижению сложности сборки и улучшению распределения тока без сложных методов компоновки.Относительно низкий заряд затвора (535 нКл) еще больше снижает потери в управлении затвором, обеспечивая более высокую эффективность переключения в масштабе.

Целевые области применения включают переключатели нагрузки постоянного тока, аккумуляторные системы хранения энергии, промышленные и технологические источники питания, инфраструктуру быстрой зарядки и новые воздушные платформы, такие как дроны и системы вертикального взлета и посадки (VTOL), где плотность мощности и тепловая надежность жестко ограничены.По мере того, как силовая электроника движется к более высоким токам при меньших занимаемых размерах, устройства, сочетающие сверхнизкое сопротивление с усовершенствованной компоновкой, становятся важными строительными блоками.Сочетая высокие токи с охлаждением и изоляцией на верхней стороне, этот МОП-транзистор удовлетворяет растущую потребность в более простых и надежных силовых архитектурах на промышленных и энергетических рынках.